头条新闻！英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

北京 - 2024年6月14日，据外媒报道，近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据，其中部分采用台积电N3B工艺制造，这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。

采用台积电N3B工艺，性能再突破

台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版，相比于上一代N5工艺，性能提升了10-15%，功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。

Arrow Lake-U/H/HX：全方位升级

除了部分采用台积电N3B工艺之外，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构，并整合了Xe核显。据悉，Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心，4-20个线程，主频最高可达5.0GHz；Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心，12-32个线程，主频最高可达5.5GHz；Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心，16-32个线程，主频最高可达5.7GHz。

英特尔与台积电合作，共创芯片未来

英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺，标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步，为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。

总而言之，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现，代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺，并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显，将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。

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AI HBM需求激增 推动韩国5月芯片出口价格创历史新高

韩国首尔 – 韩国贸易部数据显示，受人工智能（AI）需求强劲反弹推动，韩国5月芯片出口价格创下历史新高。得益于高带宽内存（HBM）需求激增，韩国芯片出口价格指数同比飙升42.1%，创下自1970年代以来的最大涨幅。

HBM是一种用于高性能计算和人工智能应用的高速存储器。由于其卓越的性能和带宽，HBM已被广泛应用于数据中心、人工智能加速器和高端游戏显卡等领域。

韩国是全球最大的HBM生产国，三星电子和SK海力士是该领域的领先厂商。随着AI应用的快速发展，预计HBM需求将持续增长，这将进一步推动韩国芯片出口价格上涨。

数据强劲增长

韩国海关公布的数据显示，5月韩国芯片出口额同比增长54.5%，达到123亿美元。其中，存储芯片出口额增长52.4%，非存储芯片出口额增长63.8%。

韩国芯片出口的强劲增长主要得益于以下几个因素：

• 全球经济复苏推动了对电子产品的需求增长。
• 数据中心和人工智能应用的快速发展对芯片需求产生了强劲拉动。
• 韩国芯片厂商在全球市场份额不断提升。

未来展望

韩国贸易部预计，韩国芯片出口在未来几个月将继续保持增长势头。预计全年芯片出口额将达到2500亿美元左右，同比增长约10%。

韩国芯片产业的强劲表现为韩国经济提供了重要支撑。韩国央行预计，韩国经济今年将增长3.0%，高于此前预期。

新标题：

AI浪潮推动韩国芯片出口价格创历史新高